第586章台面晶体管

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    林兰英听到这里，和钱学林两人相视一笑。
    她笑着说道：“是这样没错。我本来打算试一下高真空法，但一个月前，我发现咱们之前有位同志研究出来的那台1A62车床上，居然自带真空腔室的功能！当时我们正愁着呢，想着死马当活马医，试试看能不能用，没想到，效果出奇的好！”
    时珈一：“！！！”
    不不不不！完了完了！
    她研究出来的机床，把老前辈的高光给截胡了！
    前世，林兰英同志是在单晶生长上用的真空法，而真空腔室的应用环节，其实远不止单晶生长这一个。
    她当时造机床的时候，纯粹是为了多弄一个功能，真没往这上面想啊！
    时珈一一时不知道该笑还是该哭。
    旁边的钱学林以为时珈一还在为自己的成就开心，上前打趣感慨：“咱们得好好谢谢那位研究1A62车床的同志啊！”
    林兰英紧接着接话：“是这样没错！不过还有一个问题，拉制硅单晶需要高纯石英坩埚，国内完全无法生产，国外也被禁运。只是锗单晶倒是没有要求这么严。”
    钱学林听到这话，稍稍打断了一下：“石英坩埚的问题不用太过操心。我们京城的玻璃厂已经接到了这方面的攻克任务，听说已经有了些许进展，也许不用多久就可以实现了！”
    听到这里，林兰英开心了不少。
    时珈一却微微眯起了眼睛。
    她倒是不觉得石英坩埚是必须的。因为拉制硅单晶除了直拉法，还有一个悬浮区熔法！
    悬浮法不需要用到石英坩埚，最重要的是，它的优势可以让晶体管达到9N的纯度，甚至超越9N。只是熔区稳定性控制难度更大。
    不过……
    就在她盘算的时候，林兰英又继续说道：“另外，目前我们主要依靠王守武同志团队制备的基础合金结晶体管。但它的频率太低，根本满足不了国家要造计算机的需求。王守觉同志正在拼命攻关更高频的器件，也苦于我们的材料底子太差，他那边也卡住了。”
    讲到这里，林兰英的语气里多了几分无奈。
    “铟用的是纯度不够的进口货。没有自动化机器，只能把铟烧化了倒成细条，用剪刀剪成小段，然后像搓汤圆一样，在两块玻璃板之间纯手工把它搓圆。搓出来的球大小不一，差距极大。而且，我们只能戴着普通放大镜，用镊子凭手感把小球夹到锗片上。”
    顿了顿，她突然有些感慨：“不过……之前我们没有真空腔室技术的时候，还需要单独脱氧。现在最起码脱氧的问题已经解决了，不需要加入铜粉用来脱氧，再穿过五氧化二磷来吸干水分了。”
    “现在良品率飙升，以前造100个只能挑出来5个好的，现在能挑出来20个！”
    时珈一：“……”
    她相信，即便没有那个真空法的履历，林兰英同志依旧能在半导体领域大放异彩。
    但她需要知道清晰的数据，才能知道怎么改进。
    于是她直截了当地问：“那做下来，烧结完成后，表面肯定有残留的铟。以咱们目前的条件，是不是只能用稀硝酸去泡洗？晶片表面会被二次污染吗？”
    林兰英尴尬地笑了笑。这姑娘说话，也太直白了些。
    她抿抿唇，苦笑道：“是这样没错。稀硝酸纯度提不上去。而且因为一直用的是管式气氛炉搭配自耦变压器手动调温……没有温控器，只能自己盯着，温度忽高忽低。冷却的时候直接拉闸断电，凉得太快，导致结面粗糙、性能极差。”
    时珈一其实直白地问这些，不是在笑话团队，而是她需要摸清底线。
    当然，这会儿她也察觉到了林兰英的尴尬。
    她顿时龇牙一笑，赶紧找补：“林老师，我是想记录好这个数据，用来做清晰的比对。但是团队自己研究出来的合金法，真的让我很惊讶！”
    说着说着，她竖起大拇指，真心实意地夸：“美帝那边比我们好，是因为他们有专利级工艺和精密温控，减少了人为误差。但是我们的团队，却在没有高精度温控设备的情况下，用镊子手工放置微小的铟球，依靠肉眼观察颜色来判断温度，这种方法，真的很让人不得不赞叹咱们同志的厉害！”
    合金结就是PN结，是金属与半导体通过熔合技术形成的。
    他们这个方法其实很厉害，只是太考验人的手艺了。这也是为什么批量制造不起来的原因。
    林兰英听了，顿时温柔一笑：“你说的对。”
    想到这位姑娘的年纪，能做到这么严谨已经很不错了。
    她表态说：“我后面会尽量把问题说得更清晰一些，这样也能让你有更好发挥的空间！”
    “那这样就更棒了！”时珈一立刻把本子翻了一页，眼睛亮晶晶地追问：“扩散的方法有吗？”
    林兰英：“？？？”
    时珈一看到她那表情，顿时心中了然，现在合金扩散法应该还没发明出来。
    她立刻换话题：“薄膜沉积的方法有吗？”
    林兰英：“？？？”
    这会儿，就连于清清和钱学林都有些迷茫地看着时珈一。
    时珈一：“………”
    她一时想拍拍自己的脑子！
    现在的晶体管是台面晶体管，和平面晶体管是不同的！而且苏国也没有平面晶体管。
    简单说，台面晶体管的制作流程是：材料提纯——单晶生长——晶片制备——合金结烧结——台面腐蚀——引线连接——测试——封装。
    而平面晶体管的制作流程是：材料提纯——单晶生长——晶片制备——热氧化生长二氧化硅层——光刻定义窗口——选择性扩散——去除二氧化硅——金属薄膜沉积——光刻定义电极图形——测试——封装。
    想到这里，她顿时有些头疼地揉了揉眉心。
    台面晶体管的局限性其实很高，无论是苏国还是美帝，在各个严苛的领域也频频翻车，因为它故障率太高了。
    但是华国现在连台面都赶不上苏国和美帝，后面的平面工艺只怕更难追上！
    而她，需要在一片空白的领域上，让晶体管能达到立刻使用的程度，这个改进方案，绝对是一个庞大的工程。

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第586章 台面晶体管

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